電路設計是傳感器功用好壞的關鍵要素，由于溫濕度傳感器輸出端是纖細的信號，假定由于噪聲引起有用的信號被吞沒，所以增強傳感器電路的抗干擾性超卓。咱們需了解傳感器電路噪聲的來歷，以便找出好的方法來下降噪聲。傳感器電路噪聲一般有如下七種：

1、低頻噪聲，

低頻噪聲是由內(nèi)部的導電微粒不連續(xù)運動構成的。是碳膜電阻，其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多纖細顆粒，顆粒之間是不連續(xù)的，在電流流過期，會使電阻的導電率發(fā)生改動惹起電流的改動，發(fā)生相似接觸不良的閃爆電弧。晶體管也發(fā)生過相似的爆裂噪聲和閃耀噪聲，其發(fā)生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜水平有關。
 

2、半導體器材發(fā)生的散粒噪聲

由于半導體PN結兩頭勢壘區(qū)電壓的改動，導致累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改動，然后出現(xiàn)電容效應。當外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)會向耗盡區(qū)運動，相當于對電容充電。當正向電壓小時，它使電子和空穴遠離耗盡區(qū)，相當于電容放電。外加反向電壓時，耗盡區(qū)改動相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)，這種改動會惹起流過勢壘區(qū)的電流發(fā)生纖細不堅決，而發(fā)生電流噪聲。發(fā)生的噪聲巨細與溫度、頻帶寬度△f成正比。

3、高頻熱噪聲

高頻熱噪聲是由于導電體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動發(fā)生的。溫度越高，電子運動就越劇烈。導體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動會在其內(nèi)部構成許多纖細的電流不堅決，因其是無序運動，故它的均勻總電流為零，但當它作為一個元件(或作為電路的一部分)被接入擴展電路后，其內(nèi)部的電流就會被擴展成為噪聲源，對作業(yè)在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。

一般在工頻內(nèi)，電路的熱噪聲與通頻帶成正比，通頻帶越寬，電路熱噪聲的影響就越大。以一個1kΩ的電阻為例，假定電路的通頻帶為1MHz，則出現(xiàn)在電阻兩頭的開路電壓噪聲有效值為4μV(設溫度為室溫T=290K)?？雌饋碓肼暤碾妱觿莶⒉淮?，但假定將其接入一個增益為106倍的擴展電路時，其輸出噪聲可達4V，這時對電路的干擾就很大了。
 

4、晶體管的噪聲

晶體管的噪聲首要有熱噪聲、散粒噪聲、閃耀噪聲。

熱噪聲是由于載流子不規(guī)則的熱運動通過BJT內(nèi)3個區(qū)的體電阻及相應的引線電阻時而發(fā)生。其間溫濕度變送器所發(fā)生的噪聲是首要的。

一般所說的BJT中的電流，僅僅一個均勻值。實踐上通過發(fā)射結注入到基區(qū)的載流子數(shù)目，在各個瞬時不相同，因此發(fā)射電流或集電流都有無規(guī)則的不堅決，會發(fā)生散粒噪聲。

由于半導體材料及制作工藝程度使得晶體管外表清潔處置欠好而惹起的噪宣稱為閃耀噪聲。它與半導體外表少數(shù)載流子的復合有關，表現(xiàn)為發(fā)射電流的凹凸，其電流噪聲譜密度與頻率近似成反比，又稱1/f噪聲。它首要在低頻(kHz以下)規(guī)劃起首要效果。

5、電阻器的噪聲

電阻的干擾來自于電阻中的電感、電容效應和電阻本身的熱噪聲。例如一個阻值為R的實芯電阻，可等效為電阻R、寄生電容C、寄生電感L的串并聯(lián)。寄生電容為0.1～0.5pF，寄生電感為5～8nH。在頻率高于1MHz時，這些寄生電感電容就不可無視了。

電阻都發(fā)生熱噪聲，一個阻值為R的電阻(或BJT的體電阻、FET的溝道電阻)未接入電路時，在頻帶B內(nèi)所發(fā)生的熱噪聲電壓式中：k為玻爾茲曼常數(shù);T是溫度(單位：K)。熱噪聲電壓本身是一個非周期改動的時間函數(shù)，它的頻率規(guī)劃是很廣大。所以寬頻帶擴展電路受噪聲的影響比窄頻帶大。

電阻發(fā)生接觸噪聲，接觸噪聲電壓式中：I為流過電阻的電流均方值;f為頻率;k是與材料幾許外形有關的常數(shù)。由于Vc在低頻段起著重要的效果，所以它是低頻傳感器的首要噪聲源。

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